长鑫科技科创板上市创 A 股纪录

长鑫科技成立于 2016 年，专注于DRAM 存储芯片研发、生产与销售，是国内唯一实现 10nm 级 DRAM 量产的企业，打破海外技术垄断。本次 IPO 计划募集资金295 亿元，为 2026 年 A 股最大规模 IPO，主要用于 12 英寸晶圆厂扩建、先进工艺研发、存储芯片产品迭代，进一步提升国产存储芯片产能与技术实力。

上市首日，长鑫科技以1280 元 / 股开盘，较发行价228 元 / 股暴涨 461%；盘中最高触及1568 元 / 股，最终收于1290 元 / 股，总市值达3.12 万亿元，超越阿里巴巴、贵州茅台，成为 A 股市值新标杆。全天换手率达78.5%，5507 只公募产品参与网下配售，获配金额108.29 亿元，首日账面浮盈突破500 亿元；中金、中信、箭头等主承销商跟投主体首日浮盈超93 亿元，创下科创板跟投浮盈新高。

长鑫科技上市火爆，源于国产存储芯片的战略价值与市场需求。在 AI 算力爆发、数据中心扩容、消费电子复苏的背景下，全球 DRAM 芯片供不应求，价格持续上涨。长鑫科技凭借17nm DRAM量产能力，已进入华为、小米、联想等国内头部企业供应链，2026 年上半年营收达328 亿元，同比增长215%，净利润106 亿元，同比增长387%，业绩爆发式增长支撑股价强势表现。

从行业影响看，长鑫科技上市是国产半导体产业的里程碑事件。一是打破海外垄断，填补国内高端 DRAM 芯片空白，推动存储芯片国产化率从不足 5% 提升至 20% 以上，保障国家信息安全与产业链自主可控。二是引领产业集群，带动国内半导体设备、材料、封测等上下游企业发展，形成 “设计 - 制造 - 封测 - 应用” 全产业链生态，提升中国半导体产业全球竞争力。三是激活资本市场，为硬科技企业上市树立标杆，吸引全球资本聚焦中国半导体产业，推动科技与资本深度融合。

未来，长鑫科技计划 2027 年实现12nm DRAM量产，2028 年突破10nm 以下先进工艺，产能提升至120 万片 / 月，跻身全球 DRAM 厂商前三。随着国产存储芯片技术持续突破，中国半导体产业将逐步摆脱海外依赖，为数字经济、人工智能、高端制造等领域发展提供核心支撑，助力中国从半导体大国向半导体强国迈进。